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- MOSFET场效应晶体管-SVF12N60F
- Model：SVF12N60F
- SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
SHOW
MOSFET场效应晶体管
型号：SVF12N60
一、概述
SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
二、特性
12A，600V，RDS(on)（典型值）=0.60Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
三、应用领域
AC-DC 开关电源
DC-DC 电源转换器
高压 H 桥 PWM 马达驱动
四、封装/订购信息
五、命名规则
六、产品规格分类
七、极限参数
